Q817C

Teknik Özellikler

Seri

Q817

Kılıf / Paket

4-DIP (0.300, 7.62mm)

Vce Saturation Max

200mV

RoHS Durumu

RoHS Compliant

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~110°C

Current Transfer Ratiomin

200% @ 5mA

Fabrika Tedarik Süresi

20 Weeks

Parça Durumu

Active

Giriş Tipi

DC

Current Transfer Ratio Max

400% @ 5mA

Çıkış Tipi

Transistor

Voltage Isolation

5000Vrms

Number Of Channels

1

Voltage Forward Vf Typ

1.24V

Rise Fall Time Typ

6μs 8μs

Nem Hassasiyeti (MSL)

Not Applicable

Montaj Tipi

Through Hole

Current Dc Forward If Max

60mA