Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Collectoremitter Breakdown Voltage
- 1.2kV
- Yüzey Montaj
- NO
- Kılıf / Paket
- Module
- Max Power Dissipation
- 5.9kW
- Transistor Application
- POWER CONTROL
- Terminal Sayısı
- 9
- Transistor Element Material
- SILICON
- Voltage Collector Emitter Breakdown Max
- 1200V
- Çalışma Sıcaklığı
- -40°C~150°C TJ
- Terminal Pozisyonu
- UPPER
- Polaritychannel Type
- N-CHANNEL
- Power Max
- 5900W
- Current Collector Cutoff Max
- 1mA
- RoHS
- Details
- Input
- Standard
- Max Collector Current
- 900A
- Parça Durumu
- Active
- Number Of Elements
- 2
- Pin Sayısı
- 9
- Jesd30 Code
- R-XUFM-X9
- Ntc Thermistor
- No
- Vceon Max Vge Ic
- 2.5V @ 15V, 900A
- Input Capacitance
- 140nF
- Collector Emitter Voltage Vceo
- 2.5V
- Yayın Yılı
- 2010
- RoHS Durumu
- RoHS Compliant
- Kurşunsuz Kodu
- yes
- Case Connection
- ISOLATED
- Ürün Tipi
- Mixed Contact D-Sub Connectors
- Terminal Formu
- UNSPECIFIED
- Fabrika Paket Adedi
- 10
- Input Capacitance Cies Vce
- 140nF @ 10V
- Configuration
- Half Bridge
- Seri
- IGBTMOD™
- Pin Sayısı
- 21
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 1 (Unlimited)
İlgili Ürünler
Littelfuse
05401200
IGBTs Modules
Littelfuse
05401500
IGBTs Modules
Littelfuse
05407500
IGBTs Modules
Littelfuse
05407900
IGBTs Modules
Infineon
12MS08017F63G22903
IGBTs Modules
Infineon Technologies
1MS08017E32W31490NOSA1
IGBTs Modules
Vishay
20MT120UFAPBF
IGBTs Modules
Infineon Technologies
2ED300C17SROHSBPSA1
IGBTs Modules