CM800DU-12H

Teknik Özellikler

Transistor Element Material

SILICON

Configuration

Half Bridge

Collector Emitter Voltage Vceo

3.15V

Parça Durumu

Obsolete

Current Collector Cutoff Max

2mA

Power Max

1500W

Yayın Yılı

2012

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Çalışma Sıcaklığı

-40°C~150°C TJ

Max Collector Current

800A

Input Capacitance Cies Vce

70.4nF @ 10V

RoHS Durumu

RoHS Compliant

Gateemitter Voltagemax

20V

Input

Standard

Input Capacitance

70.4nF

Number Of Elements

2

Collectoremitter Breakdown Voltage

600V

Case Connection

ISOLATED

Seri

IGBTMOD™

Vceon Max Vge Ic

3.15V @ 15V, 800A

Transistor Application

POWER CONTROL

Montaj

Chassis Mount

Polaritychannel Type

N-CHANNEL

Jesd30 Code

R-XUFM-X7

Terminal Formu

UNSPECIFIED

Montaj Tipi

Chassis Mount

Ntc Thermistor

No

Kılıf / Paket

Module

Terminal Sayısı

7

Vcesatmax

3 V

Terminal Pozisyonu

UPPER

Pin Sayısı

7

Max Power Dissipation

1.5kW