Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Max Power Dissipation
- 1.13kW
- Jesd30 Code
- R-XUFM-X7
- Parça Durumu
- Obsolete
- Input Capacitance Cies Vce
- 166nF @ 10V
- ECCN Kodu
- EAR99
- Polaritychannel Type
- N-CHANNEL
- Ntc Thermistor
- No
- RoHS Durumu
- RoHS Compliant
- Seri
- IGBTMOD™
- Yüzey Montaj
- NO
- Collectoremitter Breakdown Voltage
- 600V
- Transistor Element Material
- SILICON
- Power Max
- 1130W
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Kılıf / Paket
- Module
- Input Capacitance
- 166nF
- Yayın Yılı
- 2012
- Case Connection
- ISOLATED
- Vceon Max Vge Ic
- 2.7V @ 15V, 600A
- Transistor Application
- POWER CONTROL
- Terminal Sayısı
- 7
- Kurşunsuz Kodu
- yes
- Pin Sayısı
- 7
- Pin Sayısı
- 4
- Çalışma Sıcaklığı
- -40°C~150°C TJ
- Max Collector Current
- 600A
- Terminal Pozisyonu
- UPPER
- Current Collector Cutoff Max
- 1mA
- Terminal Formu
- UNSPECIFIED
- Collector Emitter Voltage Vceo
- 2.7V
- Input
- Standard
- Configuration
- Half Bridge
- Number Of Elements
- 2
İlgili Ürünler
Littelfuse
05401200
IGBTs Modules
Littelfuse
05401500
IGBTs Modules
Littelfuse
05407500
IGBTs Modules
Littelfuse
05407900
IGBTs Modules
Infineon
12MS08017F63G22903
IGBTs Modules
Infineon Technologies
1MS08017E32W31490NOSA1
IGBTs Modules
Vishay
20MT120UFAPBF
IGBTs Modules
Infineon Technologies
2ED300C17SROHSBPSA1
IGBTs Modules