Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Collectoremitter Breakdown Voltage
- 1.2kV
- Kılıf / Paket
- Module
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Power Max
- 3330W
- Transistor Element Material
- SILICON
- Case Connection
- ISOLATED
- Yayın Yılı
- 2012
- Vceon Max Vge Ic
- 2.25V @ 15V, 450A
- Input Capacitance
- 45nF
- Polaritychannel Type
- N-CHANNEL
- RoHS Durumu
- RoHS Compliant
- Ntc Thermistor
- No
- Montaj Tipi
- Chassis Mount
- Seri
- IGBTMOD™
- Input Capacitance Cies Vce
- 45nF @ 10V
- Collectoremitter Saturation Voltage
- 1.7V
- Tip
- Dual
- Maks. Çalışma Sıcaklığı
- + 150 C
- Max Power Dissipation
- 3.33kW
- Voltage Collector Emitter Breakdown Max
- 1200V
- Reach Svhc
- Unknown
- Parça Durumu
- Discontinued
- Pd Power Dissipation
- 3330 W
- Input
- Standard
- Üretici Parça No
- CM450DY-24S
- Fabrika Paket Adedi
- 10
- Configuration
- Half Bridge
- Number Of Elements
- 2
- Terminal Formu
- UNSPECIFIED
- Collector Emitter Voltage Vceo
- 2.25V
- Çalışma Sıcaklığı
- -40°C~150°C TJ
- Pin Sayısı
- 7
- Pin Sayısı
- 7
- Height Mm
- 29 mm
- Collector Emitter Voltage Vceo Max
- 1200 V
- Max Collector Current
- 410A
- RoHS
- Details
- Current Collector Cutoff Max
- 1mA
- Terminal Pozisyonu
- UPPER
- Montaj
- Chassis Mount
İlgili Ürünler
Littelfuse
05401200
IGBTs Modules
Littelfuse
05401500
IGBTs Modules
Littelfuse
05407500
IGBTs Modules
Littelfuse
05407900
IGBTs Modules
Infineon
12MS08017F63G22903
IGBTs Modules
Infineon Technologies
1MS08017E32W31490NOSA1
IGBTs Modules
Vishay
20MT120UFAPBF
IGBTs Modules
Infineon Technologies
2ED300C17SROHSBPSA1
IGBTs Modules