Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Transistor Element Material
- SILICON
- Terminal Formu
- UNSPECIFIED
- Kılıf / Paket
- Module
- Input Capacitance Cies Vce
- 30nF @ 10V
- Polaritychannel Type
- N-CHANNEL
- Collectoremitter Breakdown Voltage
- 600V
- Collector Emitter Voltage Vceo
- 2.8V
- Configuration
- Half Bridge
- Power Max
- 1100W
- Akım Değeri
- 300A
- Current Collector Cutoff Max
- 1mA
- Input Capacitance
- 30nF
- Pin Sayısı
- 7
- Terminal Sayısı
- 7
- Vceon Max Vge Ic
- 2.8V @ 15V, 300A
- Element Configuration
- Dual
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Transistor Application
- MOTOR CONTROL
- Case Connection
- ISOLATED
- Power Dissipation
- 890W
- Yayın Yılı
- 1998
- Terminal Pozisyonu
- UPPER
- Ntc Thermistor
- No
- Number Of Elements
- 2
- Parça Durumu
- Obsolete
- RoHS Durumu
- Non-RoHS Compliant
- Input
- Standard
- Montaj Tipi
- Chassis Mount
- Gateemitter Voltagemax
- 20V
- Voltage Rated Dc
- 600V
- Montaj
- Chassis Mount, Screw
- Max Power Dissipation
- 1.1kW
- Çalışma Sıcaklığı
- -40°C~150°C TJ
- Max Collector Current
- 300A
- Seri
- IGBTMOD™
İlgili Ürünler
Littelfuse
05401200
IGBTs Modules
Littelfuse
05401500
IGBTs Modules
Littelfuse
05407500
IGBTs Modules
Littelfuse
05407900
IGBTs Modules
Infineon
12MS08017F63G22903
IGBTs Modules
Infineon Technologies
1MS08017E32W31490NOSA1
IGBTs Modules
Vishay
20MT120UFAPBF
IGBTs Modules
Infineon Technologies
2ED300C17SROHSBPSA1
IGBTs Modules