Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Ntc Thermistor
- No
- Kılıf / Paket
- Module
- Maximum Gate Emitter Voltage
- 20 V
- Transistor Element Material
- SILICON
- Gateemitter Leakage Current
- 0.5 uA
- Max Power Dissipation
- 1.34kW
- Kurşunsuz
- Lead Free
- Montaj Tipi
- Chassis Mount
- Collectoremitter Breakdown Voltage
- 1.2kV
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Montaj Stili
- Screw
- Kurşunsuz Kodu
- yes
- Terminal Formu
- UNSPECIFIED
- Input
- Standard
- Collector Emitter Voltage Vceo Max
- 1200 V
- Yayın Yılı
- 2012
- RoHS Durumu
- RoHS Compliant
- Parça Durumu
- Discontinued
- Max Collector Current
- 200A
- Jesd30 Code
- R-XUFM-X5
- Seri
- IGBTMOD™
- Configuration
- Half Bridge
- Montaj
- Chassis Mount
- RoHS
- Details
- Maks. Çalışma Sıcaklığı
- + 150 C
- Voltage Collector Emitter Breakdown Max
- 1200V
- Power Max
- 1340W
- Input Capacitance
- 35nF
- Collector Emitter Voltage Vceo
- 3V
- Continuous Collector Current At25 C
- 200 A
- Vceon Max Vge Ic
- 3V @ 15V, 200A
- Current Collector Cutoff Max
- 1mA
- Pin Sayısı
- 7
- Terminal Pozisyonu
- UPPER
- Collectoremitter Saturation Voltage
- 2.1 V
- Çalışma Sıcaklığı
- -40°C~150°C TJ
- Polaritychannel Type
- N-CHANNEL
- Height Mm
- 29 mm
- Number Of Elements
- 2
- Input Capacitance Cies Vce
- 35nF @ 10V
İlgili Ürünler
Littelfuse
05401200
IGBTs Modules
Littelfuse
05401500
IGBTs Modules
Littelfuse
05407500
IGBTs Modules
Littelfuse
05407900
IGBTs Modules
Infineon
12MS08017F63G22903
IGBTs Modules
Infineon Technologies
1MS08017E32W31490NOSA1
IGBTs Modules
Vishay
20MT120UFAPBF
IGBTs Modules
Infineon Technologies
2ED300C17SROHSBPSA1
IGBTs Modules