
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Transistor Element Material
- SILICON
- Current Collector Cutoff Max
- 1mA
- Max Power Dissipation
- 1.1kW
- Terminal Pozisyonu
- UPPER
- Polaritychannel Type
- N-CHANNEL
- Montaj Tipi
- Chassis Mount
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Collectoremitter Breakdown Voltage
- 1.7kV
- Çalışma Sıcaklığı
- -40°C~150°C TJ
- Terminal Formu
- UNSPECIFIED
- Input
- Standard
- Power Max
- 1100W
- Voltage Collector Emitter Breakdown Max
- 1700V
- Input Capacitance
- 29nF
- Collector Emitter Voltage Vceo
- 4V
- Ntc Thermistor
- No
- Kılıf / Paket
- Module
- Gateemitter Voltagemax
- 20V
- Vceon Max Vge Ic
- 4V @ 15V, 200A
- Terminal Sayısı
- 7
- Vcesatmax
- 4 V
- Montaj
- Chassis Mount
- Pin Sayısı
- 7
- Configuration
- Half Bridge
- Case Connection
- ISOLATED
- Transistor Application
- MOTOR CONTROL
- Yayın Yılı
- 2001
- RoHS Durumu
- RoHS Compliant
- Parça Durumu
- Active
- Max Collector Current
- 200A
- Seri
- IGBTMOD™
- Number Of Elements
- 2
- Input Capacitance Cies Vce
- 29nF @ 10V
İlgili Ürünler
Stokta
Littelfuse
05401200
IGBTs Modules
Stokta
Littelfuse
05401500
IGBTs Modules
Stokta
Littelfuse
05407500
IGBTs Modules
Stokta
Littelfuse
05407900
IGBTs Modules
Stokta
Infineon
12MS08017F63G22903
IGBTs Modules
Stokta
Infineon Technologies
1MS08017E32W31490NOSA1
IGBTs Modules
Vishay
20MT120UFAPBF
IGBTs Modules
Infineon Technologies
2ED300C17SROHSBPSA1
IGBTs Modules

