Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Voltage Forward Vf Max If
- 950 mV @ 3 A
- Write Cycle Time Word Page
- 25ns
- Paket
- Tape & Reel (TR);Cut Tape (CT);Digi-Reel®;
- Memory Types
- Volatile
- Parça Durumu
- Active
- Voltage Dc Reverse Vr Max
- 200 V
- Risk Rank
- 5.3
- Terminal Formu
- GULL WING
- Memory Interface
- Parallel
- Kılıf / Paket
- 28-CDIP (0.300, 7.62mm)
- Ambalaj
- Tube
- Montaj Tipi
- Through Hole
- Ürün Durumu
- Active
- Birim Ağırlık
- 0.010229 oz
- Besleme Gerilimi
- 4.5 V ~ 5.5 V
- Access Time
- 25ns
- Rep Pk Reverse Voltagemax
- 200 V
- Terminal Pozisyonu
- SINGLE
- Forward Voltagemax Vf
- 0.95 V
- Üretici Parça No
- ED602CS_L2_00001
- Case Connection
- CATHODE
- Reverse Recovery Time Trr
- 35 ns
- Memory Size
- 64Kb (8K x 8)
- Number Of Elements
- 2
- Package Body Material
- PLASTIC/EPOXY
- Diode Element Material
- SILICON
- Çalışma Sıcaklığı
- -55°C ~ 125°C (TA)
- Package Shape
- RECTANGULAR
- Technology
- SRAM - Asynchronous
- Diode Configuration
- 1 Pair Common Cathode
- ECCN Kodu
- EAR99
- Current Average Rectified Io Per Diode
- 6A
- Operating Temperaturemin
- -55 °C
- Configuration
- COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
- Reverse Recovery Timemax
- 0.035 µs
- Fabrika Paket Adedi
- 3000
- Number Of Terminals
- 2
- Rohs Code
- Yes
- Reflow Temperaturemax S
- NOT SPECIFIED
- Ihs Manufacturer
- PAN JIT INTERNATIONAL INC