Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Montaj
- Surface Mount
- Parça Durumu
- Obsolete
- Collectoremitter Breakdown Voltage
- 10V
- Power Max
- 150mW
- Transistor Type
- 2 NPN (Dual)
- Frequency Transition
- 8.5GHz
- Voltage Rated Dc
- 10V
- Voltage Collector Emitter Breakdown Max
- 10V
- Çalışma Sıcaklığı
- 150°C TJ
- RoHS Durumu
- RoHS Compliant
- Yayın Yılı
- 2011
- Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce
- 50 @ 20mA 8V
- Max Power Dissipation
- 150mW
- Max Collector Current
- 65mA
- Kurşunsuz
- Lead Free
- Ambalaj
- Tape & Reel (TR)
- Kılıf / Paket
- 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Max Breakdown Voltage
- 10V
- Current Collector Cutoff Max
- 1μA ICBO
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Tedarikçi Cihaz Paketi
- SMINI6-G1
- Akım Değeri
- 65mA
- Currentcollector Ic Max
- 65mA
İlgili Ürünler
Echelon Corporation
15400R-57B
Arrays BJT Transistors
Echelon Corporation
15401R-47BP
Arrays BJT Transistors
Echelon Corporation
15402R-47B
Arrays BJT Transistors
Central Semiconductor Corp
2N2060
Arrays BJT Transistors
Central Semiconductor Corp
2N2060A
Arrays BJT Transistors
Microsemi Corporation
2N2060L
Arrays BJT Transistors
Central Semiconductor Corp
2N2060M
Arrays BJT Transistors
Seme LAB
2N2223
Arrays BJT Transistors