Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Voltage Collector Emitter Breakdown Max
- 50V
- Vce Saturation Max Ib Ic
- 300mV @ 10mA, 100mA
- Power Max
- 150mW
- Collectoremitter Breakdown Voltage
- 50V
- Montaj
- Surface Mount
- Voltage Rated Dc
- 50V
- Frequency Transition
- 150MHz
- Transistor Type
- 2 NPN (Dual)
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Kılıf / Paket
- 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
- Kurşunsuz
- Lead Free
- Currentcollector Ic Max
- 100mA
- Akım Değeri
- 100mA
- Tedarikçi Cihaz Paketi
- SMINI6-G1
- Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce
- 160 @ 2mA 10V
- RoHS Durumu
- RoHS Compliant
- Çalışma Sıcaklığı
- 150°C TJ
- Collector Emitter Voltage Vceo
- 300mV
- Parça Durumu
- Obsolete
- Current Collector Cutoff Max
- 100μA
- Max Breakdown Voltage
- 50V
- Ambalaj
- Tape & Reel (TR)
- Yayın Yılı
- 2003
- Max Collector Current
- 100mA
- Max Power Dissipation
- 150mW
İlgili Ürünler
Echelon Corporation
15400R-57B
Arrays BJT Transistors
Echelon Corporation
15401R-47BP
Arrays BJT Transistors
Echelon Corporation
15402R-47B
Arrays BJT Transistors
Central Semiconductor Corp
2N2060
Arrays BJT Transistors
Central Semiconductor Corp
2N2060A
Arrays BJT Transistors
Microsemi Corporation
2N2060L
Arrays BJT Transistors
Central Semiconductor Corp
2N2060M
Arrays BJT Transistors
Seme LAB
2N2223
Arrays BJT Transistors