Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Resistor Emitter Base R2
- 47kOhms
- Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce
- 80 @ 5mA 10V
- Tedarikçi Cihaz Paketi
- SMINI6-G1
- Currentcollector Ic Max
- 100mA
- Akım Değeri
- 100mA
- Kurşunsuz
- Contains Lead
- Kılıf / Paket
- 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Frequency Transition
- 150MHz
- Transistor Type
- 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
- Voltage Rated Dc
- 50V
- Montaj
- Surface Mount
- Collectoremitter Breakdown Voltage
- 50V
- Power Max
- 150mW
- Vce Saturation Max Ib Ic
- 250mV @ 300μA, 10mA
- Voltage Collector Emitter Breakdown Max
- 50V
- Max Power Dissipation
- 150mW
- Max Collector Current
- 100mA
- Yayın Yılı
- 2003
- Ambalaj
- Cut Tape (CT)
- Current Collector Cutoff Max
- 500nA
- Max Breakdown Voltage
- 50V
- Resistor Base R1
- 10kOhms
- Parça Durumu
- Obsolete
- Collector Emitter Voltage Vceo
- 250mV
- RoHS Durumu
- RoHS Compliant
İlgili Ürünler
Panjit
2SC164S_R1_00001
BJT Transistors Arrays
Diodes Incorporated
ACX114EUQ-13R
BJT Transistors Arrays
Diodes Incorporated
ACX114EUQ-7R
BJT Transistors Arrays
Diodes Incorporated
ACX114YUQ-13R
BJT Transistors Arrays
Diodes Incorporated
ACX114YUQ-7R
BJT Transistors Arrays
Diodes Incorporated
ACX115EUQ-13R
BJT Transistors Arrays
Diodes Incorporated
ACX115EUQ-7R
BJT Transistors Arrays
Diodes Incorporated
ACX124EUQ-13R
BJT Transistors Arrays