Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- RoHS Durumu
- RoHS Compliant
- Çalışma Sıcaklığı
- 150°C TJ
- Collector Emitter Voltage Vceo
- 200mV
- Parça Durumu
- Obsolete
- Max Breakdown Voltage
- 100V
- Current Collector Cutoff Max
- 1μA
- Ambalaj
- Tape & Reel (TR)
- Max Collector Current
- 20mA
- Max Power Dissipation
- 150mW
- Yayın Yılı
- 2011
- Vce Saturation Max Ib Ic
- 200mV @ 1mA, 10mA
- Voltage Collector Emitter Breakdown Max
- 100V
- Voltage Rated Dc
- 100V
- Frequency Transition
- 150MHz
- Transistor Type
- 2 NPN (Dual)
- Collectoremitter Breakdown Voltage
- 100V
- Power Max
- 150mW
- Montaj
- Surface Mount
- Tedarikçi Cihaz Paketi
- SMINI6-G1
- Currentcollector Ic Max
- 20mA
- Akım Değeri
- 20mA
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Kurşunsuz
- Lead Free
- Kılıf / Paket
- 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce
- 400 @ 2mA 10V
İlgili Ürünler
Echelon Corporation
15400R-57B
Arrays BJT Transistors
Echelon Corporation
15401R-47BP
Arrays BJT Transistors
Echelon Corporation
15402R-47B
Arrays BJT Transistors
Central Semiconductor Corp
2N2060
Arrays BJT Transistors
Central Semiconductor Corp
2N2060A
Arrays BJT Transistors
Microsemi Corporation
2N2060L
Arrays BJT Transistors
Central Semiconductor Corp
2N2060M
Arrays BJT Transistors
Seme LAB
2N2223
Arrays BJT Transistors