Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Çalışma Sıcaklığı
- 150°C TJ
- RoHS Durumu
- RoHS Compliant
- Parça Durumu
- Obsolete
- Collector Emitter Voltage Vceo
- 500mV
- Ambalaj
- Tape & Reel (TR)
- Max Breakdown Voltage
- 10V
- Current Collector Cutoff Max
- 10μA
- Max Power Dissipation
- 150mW
- Max Collector Current
- 50mA
- Yayın Yılı
- 2011
- Vce Saturation Max Ib Ic
- 500mV @ 4mA, 20mA
- Voltage Collector Emitter Breakdown Max
- 10V
- Frequency Transition
- 2.5GHz
- Transistor Type
- 2 NPN (Dual)
- Voltage Rated Dc
- 10V
- Montaj
- Surface Mount
- Power Max
- 150mW
- Collectoremitter Breakdown Voltage
- 10V
- Akım Değeri
- 50mA
- Currentcollector Ic Max
- 50mA
- Tedarikçi Cihaz Paketi
- SMINI6-G1
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Kılıf / Paket
- 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
- Kurşunsuz
- Lead Free
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce
- 75 @ 5mA 4V
İlgili Ürünler
Echelon Corporation
15400R-57B
Arrays BJT Transistors
Echelon Corporation
15401R-47BP
Arrays BJT Transistors
Echelon Corporation
15402R-47B
Arrays BJT Transistors
Central Semiconductor Corp
2N2060
Arrays BJT Transistors
Central Semiconductor Corp
2N2060A
Arrays BJT Transistors
Microsemi Corporation
2N2060L
Arrays BJT Transistors
Central Semiconductor Corp
2N2060M
Arrays BJT Transistors
Seme LAB
2N2223
Arrays BJT Transistors