Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Yayın Yılı
- 2003
- Parça Durumu
- Obsolete
- Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce
- 100 @ 50mA 5V
- Power Max
- 300mW
- Resistor Base R1
- 3.3kOhms
- Voltage Rated Dc
- 30V
- Ambalaj
- Tape & Reel (TR)
- Max Breakdown Voltage
- 20V
- Montaj
- Surface Mount
- Collector Emitter Voltage Vceo
- 80mV
- RoHS Durumu
- RoHS Compliant
- Max Power Dissipation
- 300mW
- Vce Saturation Max Ib Ic
- 80mV @ 2.5mA, 50mA
- Max Collector Current
- 600mA
- Akım Değeri
- 600mA
- Voltage Collector Emitter Breakdown Max
- 20V
- Transistor Type
- 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
- Tedarikçi Cihaz Paketi
- MINI6-G1
- Kılıf / Paket
- SOT-23-6
- Collectoremitter Breakdown Voltage
- 20V
- Kurşunsuz
- Lead Free
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Frequency Transition
- 200MHz
- Currentcollector Ic Max
- 600mA
İlgili Ürünler
Panjit
2SC164S_R1_00001
BJT Transistors Arrays
Diodes Incorporated
ACX114EUQ-13R
BJT Transistors Arrays
Diodes Incorporated
ACX114EUQ-7R
BJT Transistors Arrays
Diodes Incorporated
ACX114YUQ-13R
BJT Transistors Arrays
Diodes Incorporated
ACX114YUQ-7R
BJT Transistors Arrays
Diodes Incorporated
ACX115EUQ-13R
BJT Transistors Arrays
Diodes Incorporated
ACX115EUQ-7R
BJT Transistors Arrays
Diodes Incorporated
ACX124EUQ-13R
BJT Transistors Arrays