Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Max Power Dissipation
- 300mW
- RoHS Durumu
- RoHS Compliant
- Vce Saturation Max Ib Ic
- 500mV @ 10mA, 100mA
- Yayın Yılı
- 2004
- Parça Durumu
- Obsolete
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Çalışma Sıcaklığı
- 150°C TJ
- Power Max
- 300mW
- Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce
- 160 @ 2mA 10V
- Ambalaj
- Tape & Reel (TR)
- Voltage Rated Dc
- -50V
- Collector Emitter Voltage Vceo
- 500mV
- Montaj
- Surface Mount
- Max Breakdown Voltage
- 50V
- Kurşunsuz
- Lead Free
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Current Collector Cutoff Max
- 100μA
- Currentcollector Ic Max
- 100mA
- Frequency Transition
- 80MHz
- Akım Değeri
- -100mA
- Max Collector Current
- 100mA
- Voltage Collector Emitter Breakdown Max
- 50V
- Transistor Type
- 2 PNP (Dual)
- Collectoremitter Breakdown Voltage
- 50V
- Kılıf / Paket
- SOT-23-6
- Tedarikçi Cihaz Paketi
- MINI6-G1
İlgili Ürünler
Echelon Corporation
15400R-57B
Arrays BJT Transistors
Echelon Corporation
15401R-47BP
Arrays BJT Transistors
Echelon Corporation
15402R-47B
Arrays BJT Transistors
Central Semiconductor Corp
2N2060
Arrays BJT Transistors
Central Semiconductor Corp
2N2060A
Arrays BJT Transistors
Microsemi Corporation
2N2060L
Arrays BJT Transistors
Central Semiconductor Corp
2N2060M
Arrays BJT Transistors
Seme LAB
2N2223
Arrays BJT Transistors