Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce
- 160 @ 2mA 10V / 100 @ 500mA 2V
- Power Max
- 300mW
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Çalışma Sıcaklığı
- 150°C TJ
- Parça Durumu
- Obsolete
- Yayın Yılı
- 2004
- Collector Emitter Voltage Vceo
- 300mV
- Max Breakdown Voltage
- 10V
- Montaj
- Surface Mount
- Voltage Rated Dc
- 50V
- Ambalaj
- Tape & Reel (TR)
- RoHS Durumu
- RoHS Compliant
- Max Power Dissipation
- 300mW
- Vce Saturation Max Ib Ic
- 300mV @ 10mA, 100mA / 300mV @ 8mA, 400mA
- Voltage Collector Emitter Breakdown Max
- 50V 10V
- Max Collector Current
- 500mA
- Akım Değeri
- 100mA
- Kılıf / Paket
- SOT-23-6
- Tedarikçi Cihaz Paketi
- MINI6-G1
- Collectoremitter Breakdown Voltage
- 10V
- Transistor Type
- NPN, PNP
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Kurşunsuz
- Contains Lead
- Currentcollector Ic Max
- 100mA 500mA
- Frequency Transition
- 150MHz 130MHz
- Current Collector Cutoff Max
- 100μA
İlgili Ürünler
Echelon Corporation
15400R-57B
Arrays BJT Transistors
Echelon Corporation
15401R-47BP
Arrays BJT Transistors
Echelon Corporation
15402R-47B
Arrays BJT Transistors
Central Semiconductor Corp
2N2060
Arrays BJT Transistors
Central Semiconductor Corp
2N2060A
Arrays BJT Transistors
Microsemi Corporation
2N2060L
Arrays BJT Transistors
Central Semiconductor Corp
2N2060M
Arrays BJT Transistors
Seme LAB
2N2223
Arrays BJT Transistors