Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Collector Emitter Voltage Vceo
- 400mV
- Max Breakdown Voltage
- 10V
- Montaj
- Surface Mount
- Jesd30 Code
- R-PDSO-G6
- Number Of Elements
- 2
- Ambalaj
- Tape & Reel (TR)
- Voltage Rated Dc
- 20V
- Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce
- 200 @ 500mA 2V / 100 @ 500mA 2V
- Transistor Element Material
- SILICON
- Transition Frequency
- 200MHz
- Yayın Yılı
- 2004
- Parça Durumu
- Obsolete
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Çalışma Sıcaklığı
- 150°C TJ
- Transistor Application
- AMPLIFIER
- Vce Saturation Max Ib Ic
- 400mV @ 20mA, 500mA / 300mV @ 8mA, 400mA
- Max Power Dissipation
- 300mW
- RoHS Durumu
- RoHS Compliant
- Terminal Sayısı
- 6
- REACH Uyumluluk Kodu
- unknown
- Collectoremitter Breakdown Voltage
- 10V
- Kılıf / Paket
- SOT-23-6
- Transistor Type
- NPN, PNP
- Polaritychannel Type
- NPN AND PNP
- Voltage Collector Emitter Breakdown Max
- 20V 10V
- Akım Değeri
- 500mA
- Max Collector Current
- 500mA
- Terminal Pozisyonu
- DUAL
- Frequency Transition
- 200MHz 130MHz
- Configuration
- SEPARATE, 2 ELEMENTS
- Current Collector Cutoff Max
- 100nA ICBO
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Kurşunsuz
- Lead Free
- Terminal Formu
- GULL WING
İlgili Ürünler
Echelon Corporation
15400R-57B
Arrays BJT Transistors
Echelon Corporation
15401R-47BP
Arrays BJT Transistors
Echelon Corporation
15402R-47B
Arrays BJT Transistors
Central Semiconductor Corp
2N2060
Arrays BJT Transistors
Central Semiconductor Corp
2N2060A
Arrays BJT Transistors
Microsemi Corporation
2N2060L
Arrays BJT Transistors
Central Semiconductor Corp
2N2060M
Arrays BJT Transistors
Seme LAB
2N2223
Arrays BJT Transistors