Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Tedarikçi Cihaz Paketi
- SSMINI6-F1
- Voltage Collector Emitter Breakdown Max
- 50V
- Max Breakdown Voltage
- 50V
- Ambalaj
- Tape & Reel (TR)
- Kurşunsuz
- Lead Free
- Max Power Dissipation
- 125mW
- Max Collector Current
- 100mA
- Collector Emitter Voltage Vceo
- 300mV
- Yayın Yılı
- 2003
- Frequency Transition
- 150MHz
- Current Collector Cutoff Max
- 100μA
- Power Max
- 125mW
- Akım Değeri
- 100mA
- Kılıf / Paket
- SOT-563, SOT-666
- Çalışma Sıcaklığı
- 125°C TJ
- Currentcollector Ic Max
- 100mA
- Transistor Type
- 2 NPN (Dual)
- Collectoremitter Breakdown Voltage
- 50V
- Vce Saturation Max Ib Ic
- 300mV @ 10mA, 100mA
- Parça Durumu
- Obsolete
- Montaj
- Surface Mount
- Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce
- 180 @ 2mA 10V
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Voltage Rated Dc
- 50V
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 1 (Unlimited)
- RoHS Durumu
- RoHS Compliant
İlgili Ürünler
Echelon Corporation
15400R-57B
Arrays BJT Transistors
Echelon Corporation
15401R-47BP
Arrays BJT Transistors
Echelon Corporation
15402R-47B
Arrays BJT Transistors
Central Semiconductor Corp
2N2060
Arrays BJT Transistors
Central Semiconductor Corp
2N2060A
Arrays BJT Transistors
Microsemi Corporation
2N2060L
Arrays BJT Transistors
Central Semiconductor Corp
2N2060M
Arrays BJT Transistors
Seme LAB
2N2223
Arrays BJT Transistors