Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Resistor Base R1
- 4.7 kOhms
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Collector Emitter Voltage Vceo
- 250mV
- Parça Durumu
- Obsolete
- Transistor Type
- NPN - Pre-Biased
- Tedarikçi Cihaz Paketi
- Mini3-G1
- Yayın Yılı
- 2005
- RoHS Durumu
- RoHS Compliant
- Kurşunsuz
- Lead Free
- Voltage Rated Dc
- 50V
- Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce
- 160 @ 5mA 10V
- Frequency Transition
- 150MHz
- Currentcollector Ic Max
- 100mA
- Collectoremitter Breakdown Voltage
- 50V
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Akım Değeri
- 500mA
- Power Max
- 200mW
- Vce Saturation Max Ib Ic
- 250mV @ 300μA, 10mA
- Kılıf / Paket
- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Max Power Dissipation
- 200mW
- Ambalaj
- Tape & Reel (TR)
- Voltage Collector Emitter Breakdown Max
- 50V
- Montaj
- Surface Mount
- Current Collector Cutoff Max
- 500nA
- Max Breakdown Voltage
- 50V
- Max Collector Current
- 100mA
İlgili Ürünler
Panjit
2SC164S_R2_00001
Pre-Biased BJT Transistors
Aptina
2SC3402-AC
Pre-Biased BJT Transistors
Renesas Electronics America Inc
2SD1697-AZ
Pre-Biased BJT Transistors
IMP
4245.08.00
Pre-Biased BJT Transistors
IMP
4245.08.01
Pre-Biased BJT Transistors
Nexperia
934055050115
Pre-Biased BJT Transistors
WEIDMÜLLER
9500640000 PCF 7.50/04/180 3.5SN OR BX
Pre-Biased BJT Transistors
Diodes Incorporated
ADA123JUQ-7
Pre-Biased BJT Transistors