
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Max Collector Current
- 80mA
- Power Max
- 125mW
- Max Power Dissipation
- 125mW
- Montaj
- Surface Mount
- Temel Parça No
- NP0G3D2
- Max Breakdown Voltage
- 50V
- Yayın Yılı
- 2003
- Resistor Base R1
- 4.7kOhms, 22kOhms
- Tedarikçi Cihaz Paketi
- SSSMini6-F1
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Ambalaj
- Tape & Reel (TR)
- Resistor Emitter Base R2
- 4.7kOhms, 47kOhms
- Voltage Rated Dc
- 50V
- Collectoremitter Breakdown Voltage
- 50V
- RoHS Durumu
- RoHS Compliant
- Vce Saturation Max Ib Ic
- 250mV @ 300μA, 10mA
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Kılıf / Paket
- SOT-963
- Kurşunsuz
- Lead Free
- Frequency Transition
- 150MHz 80MHz
- Transistor Type
- 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
- Collector Emitter Voltage Vceo
- 250mV
- Voltage Collector Emitter Breakdown Max
- 50V
- Current Collector Cutoff Max
- 500nA
- Akım Değeri
- 80mA
- Currentcollector Ic Max
- 80mA
- Parça Durumu
- Obsolete
- Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce
- 20 @ 5mA 10V / 80 @ 5mA 10V
İlgili Ürünler
Stokta
Panjit
2SC164S_R1_00001
BJT Transistors Arrays
Diodes Incorporated
ACX114EUQ-13R
BJT Transistors Arrays
Diodes Incorporated
ACX114EUQ-7R
BJT Transistors Arrays
Diodes Incorporated
ACX114YUQ-13R
BJT Transistors Arrays
Diodes Incorporated
ACX114YUQ-7R
BJT Transistors Arrays
Diodes Incorporated
ACX115EUQ-13R
BJT Transistors Arrays
Diodes Incorporated
ACX115EUQ-7R
BJT Transistors Arrays
Diodes Incorporated
ACX124EUQ-13R
BJT Transistors Arrays

