DRA5L14Y0L

Teknik Özellikler

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

80 @ 5mA 10V

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

NOT SPECIFIED

Transistor Type

PNP - Pre-Biased

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Max Collector Current

100mA

Parça Durumu

Obsolete

Collector Emitter Voltage Vceo

-30V

REACH Uyumluluk Kodu

unknown

Vce Saturation Max Ib Ic

1.2V @ 330μA, 50mA

Montaj

Surface Mount

Kılıf / Paket

SC-85

Pin Sayısı

85

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

NOT SPECIFIED

Resistor Emitter Base R2

47 k Ω

ECCN Kodu

EAR99

Jesd30 Code

R-PDSO-F3

Terminal Pozisyonu

DUAL

Uzunluk

2mm

Resistor Base R1

10 k Ω

RoHS Durumu

RoHS Compliant

Yükseklik

800μm

Continuous Collector Current

-100mA

Current Collector Cutoff Max

500nA

Montaj Tipi

Surface Mount

Max Power Dissipation

150mW

Max Breakdown Voltage

30V

Collectoremitter Saturation Voltage

-1.2V

Temel Parça No

DRA5L14

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Genişlik

1.25mm

Collectoremitter Breakdown Voltage

30V

Fabrika Tedarik Süresi

10 Weeks

Transistor Element Material

SILICON

Number Of Elements

1

Element Configuration

Single

Polarity

PNP

Maks. Çalışma Sıcaklığı

150°C

Transistor Application

SWITCHING

Terminal Formu

FLAT

Terminal Sayısı

3