DRA5123Y0L

Teknik Özellikler

Polarity

PNP

Transistor Element Material

SILICON

Number Of Elements

1

Element Configuration

Single

Terminal Sayısı

3

Transistor Application

SWITCHING

Maks. Çalışma Sıcaklığı

150°C

Terminal Formu

FLAT

Max Breakdown Voltage

50V

Max Power Dissipation

150mW

Montaj Tipi

Surface Mount

Fabrika Tedarik Süresi

10 Weeks

Temel Parça No

DRA5123

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Collectoremitter Breakdown Voltage

50V

RoHS Durumu

RoHS Compliant

Resistor Base R1

2.2 k Ω

Current Collector Cutoff Max

500nA

Continuous Collector Current

-100mA

Terminal Pozisyonu

DUAL

Jesd30 Code

R-PDSO-F3

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

NOT SPECIFIED

ECCN Kodu

EAR99

Resistor Emitter Base R2

10 k Ω

Vce Saturation Max Ib Ic

250mV @ 500μA, 10mA

Collector Emitter Voltage Vceo

250mV

REACH Uyumluluk Kodu

unknown

Pin Sayısı

85

Montaj

Surface Mount

Kılıf / Paket

SC-85

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Max Collector Current

100mA

Parça Durumu

Discontinued

Transistor Type

PNP - Pre-Biased

Additional Feature

BUILT IN BIAS RESISITANCE RATIO 4.55

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

30 @ 5mA 10V

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

NOT SPECIFIED