DRA5115G0L

Teknik Özellikler

Terminal Pozisyonu

DUAL

Jesd30 Code

R-PDSO-F3

Uzunluk

2mm

Yükseklik

800μm

RoHS Durumu

RoHS Compliant

Current Collector Cutoff Max

500nA

Continuous Collector Current

-100mA

Collectoremitter Saturation Voltage

-250mV

Max Breakdown Voltage

50V

Montaj Tipi

Surface Mount

Max Power Dissipation

150mW

Fabrika Tedarik Süresi

10 Weeks

Collectoremitter Breakdown Voltage

50V

Temel Parça No

DRA5115

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Genişlik

1.25mm

Polarity

PNP

Transistor Element Material

SILICON

Number Of Elements

1

Element Configuration

Single

Yayın Yılı

2010

Terminal Sayısı

3

Terminal Formu

FLAT

Transistor Application

SWITCHING

Maks. Çalışma Sıcaklığı

150°C

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

80 @ 5mA 10V

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

NOT SPECIFIED

Parça Durumu

Discontinued

Max Collector Current

100mA

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Transistor Type

PNP - Pre-Biased

Vce Saturation Max Ib Ic

250mV @ 500μA, 10mA

REACH Uyumluluk Kodu

unknown

Collector Emitter Voltage Vceo

-50V

Pin Sayısı

85

Kılıf / Paket

SC-85

Montaj

Surface Mount

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

NOT SPECIFIED

ECCN Kodu

EAR99

Resistor Emitter Base R2

100 k Ω