DRA5114Y0L

Teknik Özellikler

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

80 @ 5mA 10V

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

NOT SPECIFIED

Min. Çalışma Sıcaklığı

-55°C

Transistor Type

PNP - Pre-Biased

Emitter Base Voltage Vebo

-6V

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Max Collector Current

100mA

Parça Durumu

Discontinued

Additional Feature

BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 4.7

JESD-609 Kodu

e6

Collector Emitter Voltage Vceo

250mV

REACH Uyumluluk Kodu

unknown

Kurşunsuz

Lead Free

Vce Saturation Max Ib Ic

250mV @ 500μA, 10mA

Montaj

Surface Mount

Kılıf / Paket

SC-85

Pin Sayısı

85

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

NOT SPECIFIED

Resistor Emitter Base R2

47 k Ω

ECCN Kodu

EAR99

Jesd30 Code

R-PDSO-F3

Terminal Pozisyonu

DUAL

Uzunluk

2mm

Resistor Base R1

10 k Ω

RoHS Durumu

RoHS Compliant

Yükseklik

900μm

Terminal Kaplaması

Tin/Bismuth (Sn/Bi)

Continuous Collector Current

-100mA

Current Collector Cutoff Max

500nA

Montaj Tipi

Surface Mount

Max Power Dissipation

150mW

Max Breakdown Voltage

50V

Collectoremitter Saturation Voltage

250mV

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Temel Parça No

DRA5114

Collectoremitter Breakdown Voltage

50V

Fabrika Tedarik Süresi

10 Weeks

Element Configuration

Single

Number Of Elements

1

Polarity

PNP