DRA5114E0L

Teknik Özellikler

Additional Feature

BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1

Max Collector Current

100mA

Parça Durumu

Discontinued

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Transistor Type

PNP - Pre-Biased

Min. Çalışma Sıcaklığı

-55°C

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

35 @ 5mA 10V

ECCN Kodu

EAR99

Resistor Emitter Base R2

10 k Ω

Pin Sayısı

85

Kılıf / Paket

SC-85

Montaj

Surface Mount

Vce Saturation Max Ib Ic

250mV @ 500μA, 10mA

Collector Emitter Voltage Vceo

-50V

Current Collector Cutoff Max

500nA

Continuous Collector Current

-100mA

Yükseklik

800μm

RoHS Durumu

RoHS Compliant

Resistor Base R1

10 k Ω

Uzunluk

2mm

Terminal Pozisyonu

DUAL

Jesd30 Code

R-PDSO-F3

Terminal Sayısı

3

Yayın Yılı

2009

Terminal Formu

FLAT

Maks. Çalışma Sıcaklığı

150°C

Transistor Application

SWITCHING

Polarity

PNP

Element Configuration

Single

Number Of Elements

1

Radyasyon Dayanımı

No

Fabrika Tedarik Süresi

10 Weeks

Collectoremitter Breakdown Voltage

50V

Genişlik

1.25mm

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Temel Parça No

DRA5114

Collectoremitter Saturation Voltage

-250mV

Max Breakdown Voltage

50V

Montaj Tipi

Surface Mount

Max Power Dissipation

150mW