DRA3115G0L

Teknik Özellikler

Vce Saturation Max Ib Ic

250mV @ 500μA, 10mA

Collector Emitter Voltage Vceo

-50V

REACH Uyumluluk Kodu

unknown

HTS Kodu

8541.21.00.95

Pin Sayısı

3

Montaj

Surface Mount

Kılıf / Paket

SOT-723

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

NOT SPECIFIED

ECCN Kodu

EAR99

Resistor Emitter Base R2

100 k Ω

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

80 @ 5mA 10V

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

NOT SPECIFIED

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Max Collector Current

100mA

Parça Durumu

Obsolete

Transistor Type

PNP - Pre-Biased

Additional Feature

BUILT IN BIAS RESISTOR

Max Breakdown Voltage

50V

Collectoremitter Saturation Voltage

-250mV

Montaj Tipi

Surface Mount

Max Power Dissipation

100mW

Fabrika Tedarik Süresi

10 Weeks

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Genişlik

800μm

Temel Parça No

DRA3115

Collectoremitter Breakdown Voltage

50V

Polarity

PNP

Element Configuration

Single

Number Of Elements

1

Transistor Element Material

SILICON

Terminal Sayısı

3

Yayın Yılı

2009

Maks. Çalışma Sıcaklığı

150°C

Transistor Application

SWITCHING

Terminal Formu

FLAT

Terminal Pozisyonu

DUAL

Uzunluk

1.2mm

RoHS Durumu

RoHS Compliant

Yükseklik

470μm

Current Collector Cutoff Max

500nA