DRA2522J0L

Teknik Özellikler

Collector Emitter Voltage Vceo

-50V

REACH Uyumluluk Kodu

unknown

Vce Saturation Max Ib Ic

250mV @ 5mA, 100mA

Montaj

Surface Mount

Kılıf / Paket

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

HTS Kodu

8541.21.00.95

Pin Sayısı

3

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

NOT SPECIFIED

Resistor Emitter Base R2

5 k Ω

ECCN Kodu

EAR99

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

20 @ 100mA 10V

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

NOT SPECIFIED

Transistor Type

PNP - Pre-Biased

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Max Collector Current

500mA

Parça Durumu

Discontinued

Additional Feature

BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 18.52

Montaj Tipi

Surface Mount

Max Power Dissipation

200mW

Max Breakdown Voltage

50V

Collectoremitter Saturation Voltage

-250mV

Genişlik

1.5mm

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Temel Parça No

DRA2522

Collectoremitter Breakdown Voltage

50V

Fabrika Tedarik Süresi

10 Weeks

Transistor Element Material

SILICON

Number Of Elements

1

Element Configuration

Single

Polarity

PNP

Maks. Çalışma Sıcaklığı

150°C

Transistor Application

SWITCHING

Terminal Formu

GULL WING

Terminal Sayısı

3

Yayın Yılı

2010

Terminal Pozisyonu

DUAL

Uzunluk

2.9mm

Resistor Base R1

270 Ω

RoHS Durumu

RoHS Compliant

Yükseklik

1.1mm