DRA2123Y0L

Teknik Özellikler

Additional Feature

BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 4.55

Transistor Type

PNP - Pre-Biased

Parça Durumu

Discontinued

Max Collector Current

100mA

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Min. Çalışma Sıcaklığı

-40°C

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

NOT SPECIFIED

Power Dissipation

200mW

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

30 @ 5mA 10V

Resistor Emitter Base R2

10 k Ω

ECCN Kodu

EAR99

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

NOT SPECIFIED

Kılıf / Paket

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Montaj

Surface Mount

Pin Sayısı

3

HTS Kodu

8541.21.00.95

REACH Uyumluluk Kodu

unknown

Collector Emitter Voltage Vceo

-50V

Vce Saturation Max Ib Ic

250mV @ 500μA, 10mA

Continuous Collector Current

-100mA

Current Collector Cutoff Max

500nA

Resistor Base R1

2.2 k Ω

Yükseklik

1.1mm

Hfemin

30

RoHS Durumu

RoHS Compliant

Uzunluk

2.9mm

Terminal Pozisyonu

DUAL

Terminal Formu

GULL WING

Transistor Application

SWITCHING

Maks. Çalışma Sıcaklığı

150°C

Yayın Yılı

2009

Terminal Sayısı

3

Number Of Elements

1

Element Configuration

Single

Polarity

PNP

Collectoremitter Breakdown Voltage

50V

Genişlik

1.5mm

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Temel Parça No

DRA2123

Fabrika Tedarik Süresi

10 Weeks