DRA2114T0L

Teknik Özellikler

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

NOT SPECIFIED

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

160 @ 5mA 10V

Additional Feature

BUILT IN BIAS RESISTOR

Transistor Type

PNP - Pre-Biased

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Parça Durumu

Discontinued

Max Collector Current

100mA

Montaj

Surface Mount

Kılıf / Paket

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Pin Sayısı

3

HTS Kodu

8541.21.00.95

Collector Emitter Voltage Vceo

-50V

REACH Uyumluluk Kodu

unknown

Vce Saturation Max Ib Ic

250mV @ 500μA, 10mA

ECCN Kodu

EAR99

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

NOT SPECIFIED

Uzunluk

2.9mm

Terminal Pozisyonu

DUAL

Continuous Collector Current

-100mA

Current Collector Cutoff Max

500nA

Resistor Base R1

10 k Ω

RoHS Durumu

RoHS Compliant

Yükseklik

1.1mm

Temel Parça No

DRA2114

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Genişlik

1.5mm

Collectoremitter Breakdown Voltage

50V

Fabrika Tedarik Süresi

10 Weeks

Max Power Dissipation

200mW

Montaj Tipi

Surface Mount

Max Breakdown Voltage

50V

Collectoremitter Saturation Voltage

-250mV

Maks. Çalışma Sıcaklığı

150°C

Transistor Application

SWITCHING

Terminal Formu

GULL WING

Terminal Sayısı

3

Yayın Yılı

2009

Element Configuration

Single

Number Of Elements

1

Transistor Element Material

SILICON