DMG963HE0R

Teknik Özellikler

Fabrika Tedarik Süresi

10 Weeks

Max Breakdown Voltage

30V

Yayın Yılı

2010

Transistor Type

1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)

Montaj

Surface Mount

Temel Parça No

DMG963

Polarity

NPN, PNP

Collectoremitter Breakdown Voltage

30V

Continuous Collector Current

-100mA

ECCN Kodu

EAR99

Vce Saturation Max Ib Ic

250mV @ 500μA, 10mA / 1.2V @ 330μA, 50mA

REACH Uyumluluk Kodu

unknown

Transistor Application

SWITCHING

Element Configuration

Dual

Maks. Çalışma Sıcaklığı

150°C

Resistor Base R1

10k Ω

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

35 @ 5mA 10V / 80 @ 5mA 10V

Genişlik

1.2mm

Kılıf / Paket

SOT-665

Montaj Tipi

Surface Mount

Transistor Element Material

SILICON

Additional Feature

BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1

Terminal Formu

FLAT

Uzunluk

1.6mm

Current Collector Cutoff Max

500nA

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Pin Sayısı

5

Resistor Emitter Base R2

10k Ω, 47k Ω

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

NOT SPECIFIED

Yükseklik

500μm

Number Of Elements

2

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

NOT SPECIFIED

Max Collector Current

100mA

Parça Durumu

Discontinued

Voltage Collector Emitter Breakdown Max

50V 30V

Terminal Sayısı

5

RoHS Durumu

RoHS Compliant

Max Power Dissipation

125mW

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Collector Emitter Voltage Vceo

250mV