DMG564H30R

Teknik Özellikler

Pin Sayısı

6

Resistor Emitter Base R2

47k Ω, 10k Ω

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

NOT SPECIFIED

Yükseklik

600μm

Current Collector Cutoff Max

500nA

Collectoremitter Saturation Voltage

250mV

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Terminal Sayısı

6

Max Power Dissipation

150mW

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Collector Emitter Voltage Vceo

250mV

RoHS Durumu

RoHS Compliant

Parça Durumu

Discontinued

Number Of Elements

2

Max Collector Current

100mA

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

NOT SPECIFIED

ECCN Kodu

EAR99

Collectoremitter Breakdown Voltage

50V

Continuous Collector Current

-100mA

Vce Saturation Max Ib Ic

250mV @ 500μA, 10mA

Montaj

Surface Mount

Yayın Yılı

2010

Transistor Type

1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)

Max Breakdown Voltage

50V

Fabrika Tedarik Süresi

10 Weeks

Polarity

NPN, PNP

Temel Parça No

DMG564

Montaj Tipi

Surface Mount

Genişlik

1.25mm

Kılıf / Paket

6-SMD, Flat Leads

Uzunluk

2mm

Additional Feature

BUILT IN BIAS RESISITANCE RATIO 10

Transistor Element Material

SILICON

REACH Uyumluluk Kodu

unknown

Element Configuration

Dual

Transistor Application

SWITCHING

HTS Kodu

8541.21.00.95

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

80 @ 5mA 10V / 30 @ 5mA 10V

Maks. Çalışma Sıcaklığı

150°C

Resistor Base R1

47k Ω, 1k Ω