DMG563H50R

Teknik Özellikler

Collector Emitter Voltage Vceo

250mV

Max Power Dissipation

150mW

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

RoHS Durumu

RoHS Compliant

Terminal Sayısı

5

Parça Durumu

Discontinued

Max Collector Current

100mA

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

NOT SPECIFIED

Number Of Elements

2

Yükseklik

600μm

Resistor Emitter Base R2

47k Ω

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

NOT SPECIFIED

Pin Sayısı

5

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Current Collector Cutoff Max

500nA

Uzunluk

2mm

Additional Feature

BUILT IN BIAS RESISITANCE RATIO 1

Transistor Element Material

SILICON

Montaj Tipi

Surface Mount

Kılıf / Paket

6-SMD (5 Leads), Flat Lead

Genişlik

1.25mm

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

80 @ 5mA 10V

Resistor Base R1

47k Ω, 10k Ω

Maks. Çalışma Sıcaklığı

150°C

Element Configuration

Dual

Transistor Application

SWITCHING

REACH Uyumluluk Kodu

unknown

Vce Saturation Max Ib Ic

250mV @ 500μA, 10mA

ECCN Kodu

EAR99

Continuous Collector Current

-100mA

Collectoremitter Breakdown Voltage

50V

Polarity

NPN, PNP

Temel Parça No

DMG563

Montaj

Surface Mount

Yayın Yılı

2016

Transistor Type

1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)

Max Breakdown Voltage

50V

Fabrika Tedarik Süresi

10 Weeks