DMG263010R

Teknik Özellikler

RoHS Durumu

RoHS Compliant

Max Power Dissipation

300mW

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Collector Emitter Voltage Vceo

250mV

Kurşunsuz

Lead Free

Terminal Sayısı

6

Number Of Elements

2

Max Collector Current

100mA

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

NOT SPECIFIED

Parça Durumu

Discontinued

Yükseklik

1.1mm

Pin Sayısı

5

Resistor Emitter Base R2

10k Ω

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

NOT SPECIFIED

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Current Collector Cutoff Max

500nA

Terminal Formu

FLAT

Additional Feature

BUILT IN BIAS RESISITANCE RATIO 1

Transistor Element Material

SILICON

Uzunluk

2.9mm

Genişlik

1.5mm

Kılıf / Paket

SC-74A, SOT-753

Montaj Tipi

Surface Mount

Maks. Çalışma Sıcaklığı

150°C

Resistor Base R1

10k Ω

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

35 @ 5mA 10V

REACH Uyumluluk Kodu

unknown

Transistor Application

SWITCHING

Element Configuration

Dual

Vce Saturation Max Ib Ic

250mV @ 500μA, 10mA

Collectoremitter Breakdown Voltage

50V

Continuous Collector Current

-100mA

Jesd30 Code

R-PDSO-F6

ECCN Kodu

EAR99

Temel Parça No

DMG26301

Polarity

NPN, PNP

Yayın Yılı

2013

Transistor Type

1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)

Max Breakdown Voltage

50V

Fabrika Tedarik Süresi

10 Weeks