DMG214010R

Teknik Özellikler

Max Power Dissipation

300mW

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Collector Emitter Voltage Vceo

250mV

RoHS Durumu

RoHS Compliant

Terminal Sayısı

6

Parça Durumu

Discontinued

Number Of Elements

2

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

NOT SPECIFIED

Max Collector Current

100mA

Yükseklik

1.1mm

Transition Frequency

150MHz

Frequency Transition

150MHz

Pin Sayısı

6

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

NOT SPECIFIED

Resistor Emitter Base R2

4.7k Ω

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Current Collector Cutoff Max

500nA 100μA

Uzunluk

2.9mm

Transistor Element Material

SILICON

Terminal Formu

GULL WING

Montaj Tipi

Surface Mount

Genişlik

1.5mm

Kılıf / Paket

SOT-23-6

HTS Kodu

8541.21.00.75

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

20 @ 5mA 10V / 210 @ 2mA 10V

Maks. Çalışma Sıcaklığı

150°C

REACH Uyumluluk Kodu

unknown

Transistor Application

AMPLIFIER

Element Configuration

Dual

Vce Saturation Max Ib Ic

250mV @ 500μA, 10mA / 300mV @ 10mA, 100mA

ECCN Kodu

EAR99

Collectoremitter Breakdown Voltage

50V

Continuous Collector Current

-100mA

Polarity

NPN, PNP

Temel Parça No

DMG21401

Montaj

Surface Mount

Fabrika Tedarik Süresi

10 Weeks

Max Breakdown Voltage

50V

Transistor Type

1 PNP Pre-Biased, 1 NPN

Yayın Yılı

2013