Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Gain Bandwidth Product
- 150MHz
- Kılıf / Paket
- SOT-23-6
- Collector Emitter Voltage Vceo
- 300mV
- Power Max
- 300mW
- Max Breakdown Voltage
- 50V
- Hfemin
- 210
- Transition Frequency
- 150MHz
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Çalışma Sıcaklığı
- 150°C TJ
- Yükseklik
- 1.1mm
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Collectoremitter Breakdown Voltage
- 50V
- Terminal Formu
- GULL WING
- Transistor Element Material
- SILICON
- Current Collector Cutoff Max
- 100μA
- Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce
- 210 @ 2mA 10V
- Max Power Dissipation
- 300mW
- Number Of Elements
- 2
- Continuous Collector Current
- -100mA
- REACH Uyumluluk Kodu
- unknown
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- NOT SPECIFIED
- Max Collector Current
- 100mA
- Transistor Type
- NPN, PNP
- Genişlik
- 1.5mm
- Ambalaj
- Tape & Reel (TR)
- Parça Durumu
- Discontinued
- Yayın Yılı
- 2011
- Element Configuration
- Dual
- RoHS Durumu
- RoHS Compliant
- Polarity
- NPN, PNP
- Uzunluk
- 2.9mm
- Transistor Application
- AMPLIFIER
- Vce Saturation Max Ib Ic
- 300mV @ 10mA, 100mA / 500mV @ 10mA, 100mA
- Fabrika Tedarik Süresi
- 10 Weeks
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- NOT SPECIFIED
- Montaj
- Surface Mount
- Pin Sayısı
- 6
- ECCN Kodu
- EAR99
- Temel Parça No
- DME20501
- Terminal Sayısı
- 6
İlgili Ürünler
Echelon Corporation
15400R-57B
Arrays BJT Transistors
Echelon Corporation
15401R-47BP
Arrays BJT Transistors
Echelon Corporation
15402R-47B
Arrays BJT Transistors
Central Semiconductor Corp
2N2060
Arrays BJT Transistors
Central Semiconductor Corp
2N2060A
Arrays BJT Transistors
Microsemi Corporation
2N2060L
Arrays BJT Transistors
Central Semiconductor Corp
2N2060M
Arrays BJT Transistors
Seme LAB
2N2223
Arrays BJT Transistors