DB4J314K0R

Teknik Özellikler

Voltage Forward Vf Max If

1V @ 30mA

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

NOT SPECIFIED

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Maks. Çalışma Sıcaklığı

125°C

Number Of Elements

2

Speed

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

Parça Durumu

Discontinued

Max Reverse Voltage Dc

30V

Terminal Sayısı

4

Yayın Yılı

2010

Terminal Pozisyonu

DUAL

Diode Element Material

SILICON

Temel Parça No

DB4J314

Forward Voltage

400mV

Max Repetitive Reverse Voltage Vrrm

30V

Forward Current

20mA

Max Reverse Leakage Current

300nA

Montaj Tipi

Surface Mount

Genişlik

1.25mm

Peak Reverse Current

200nA

Current Average Rectified Io

30mA DC

Uzunluk

2mm

Diode Type

Schottky

RoHS Durumu

RoHS Compliant

Recovery Time

1 ns

Pin Sayısı

4

Frequency Band

L B

Diode Configuration

2 Independent

Yükseklik

700μm

ECCN Kodu

EAR99

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

NOT SPECIFIED

Reverse Recovery Time

1 ns

Operating Temperature Junction

125°C Max

Montaj

Surface Mount

Kılıf / Paket

4-SMD, Flat Leads

Current Reverse Leakage Vr

300nA @ 30V

Fabrika Tedarik Süresi

10 Weeks

Average Rectified Current

30mA

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Min. Çalışma Sıcaklığı

-55°C