DB2S30900L

Teknik Özellikler

Max Forward Surge Current Ifsm

1A

Temel Parça No

DB2S309

ECCN Kodu

EAR99

HTS Kodu

8541.10.00.60

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

NOT SPECIFIED

Genişlik

800μm

Frequency Band

VERY HIGH FREQUENCY

Fabrika Tedarik Süresi

10 Weeks

Forward Voltage

580mV

Parça Durumu

Discontinued

Current Reverse Leakage Vr

2μA @ 30V

Peak Reverse Current

2μA

Uzunluk

1.2mm

Max Repetitive Reverse Voltage Vrrm

30V

Montaj Tipi

Surface Mount

Reverse Recovery Time

1.3 ns

Diode Element Material

SILICON

Forward Current

100mA

Capacitance Vr F

3pF @ 10V 1MHz

Min. Çalışma Sıcaklığı

-55°C

Voltage Forward Vf Max If

580mV @ 100mA

Element Configuration

Single

Yükseklik

600μm

Peak Nonrepetitive Surge Current

1A

Max Reverse Voltage Dc

30V

RoHS Durumu

RoHS Compliant

Kılıf / Paket

SC-79, SOD-523

Terminal Sayısı

2

Terminal Formu

FLAT

Number Of Elements

1

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Terminal Pozisyonu

DUAL

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Reach Svhc

Unknown

Maks. Çalışma Sıcaklığı

125°C

Yayın Yılı

2010

Montaj

Surface Mount

Average Rectified Current

100mA

Speed

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

Pin Sayısı

2