DB2J20900L

Teknik Özellikler

Diode Element Material

SILICON

Reverse Recovery Time

2.4 ns

Montaj Tipi

Surface Mount

Max Repetitive Reverse Voltage Vrrm

20V

Capacitance Vr F

7pF @ 10V 1MHz

Forward Current

500mA

Element Configuration

Single

Voltage Forward Vf Max If

500mV @ 500mA

Min. Çalışma Sıcaklığı

-40°C

Yükseklik

700μm

Parça Durumu

Discontinued

Current Reverse Leakage Vr

30μA @ 10V

Peak Reverse Current

30μA

Uzunluk

1.7mm

Fabrika Tedarik Süresi

10 Weeks

Forward Voltage

500mV

Max Forward Surge Current Ifsm

3A

Temel Parça No

DB2J209

ECCN Kodu

EAR99

Genişlik

1.25mm

Kurşunsuz

Lead Free

Frequency Band

ULTRA HIGH FREQUENCY

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

NOT SPECIFIED

HTS Kodu

8541.10.00.60

Operating Temperature Junction

125°C Max

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

NOT SPECIFIED

Diode Type

Schottky

Contact Plating

Tin

Montaj

Surface Mount

Average Rectified Current

500mA

Speed

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Pin Sayısı

2

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Number Of Elements

1

JESD-609 Kodu

e6

Ambalaj

Cut Tape (CT)

Terminal Pozisyonu

DUAL

Reach Svhc

Unknown

Maks. Çalışma Sıcaklığı

85°C

Yayın Yılı

2010