Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Max Breakdown Voltage
- 50V
- Max Collector Current
- 100mA
- Çalışma Sıcaklığı
- 150°C TJ
- Montaj Tipi
- Through Hole
- Kılıf / Paket
- 3-SSIP
- Yayın Yılı
- 2003
- RoHS Durumu
- RoHS Compliant
- Parça Durumu
- Obsolete
- Temel Parça No
- 2SA1309
- Transistor Type
- PNP
- Montaj
- Through Hole
- Ambalaj
- Tape & Box (TB)
- Max Power Dissipation
- 300mW
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Collectoremitter Breakdown Voltage
- 50V
- Voltage Rated Dc
- -50V
- Current Collector Cutoff Max
- 1μA
- Akım Değeri
- -100mA
- Tedarikçi Cihaz Paketi
- NS-B1
- Collector Emitter Voltage Vceo
- 300mV
- Voltage Collector Emitter Breakdown Max
- 50V
- Frequency Transition
- 80MHz
- Currentcollector Ic Max
- 100mA
- Vce Saturation Max Ib Ic
- 300mV @ 5mA, 50mA
- Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce
- 210 @ 2mA 10V
- Power Max
- 300mW
İlgili Ürünler
ON Semiconductor
12A02CH-TL-E
Single BJT Transistors
ON Semiconductor
12A02MH-TL-E
Single BJT Transistors
ON Semiconductor
15C01C-TB-E
Single BJT Transistors
Sanyo
15C01M-TL-E
Single BJT Transistors
ON Semiconductor
15C01SS-TL-E
Single BJT Transistors
ON Semiconductor
15C02CH-TL-E
Single BJT Transistors
ON Semiconductor
15C02MH-TL-E
Single BJT Transistors
Microchip Technology
2C2222A
Single BJT Transistors