UMC3NT1G

Teknik Özellikler

Transistor Type

1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)

Resistor Emitter Base R2

10k Ω

Pin Sayısı

5

ECCN Kodu

EAR99

Fabrika Tedarik Süresi

8 Weeks

Continuous Collector Current

100mA

Max Power Dissipation

150mW

Yüzey Montaj

YES

Max Collector Current

100mA

Min. Çalışma Sıcaklığı

-65°C

Collectoremitter Breakdown Voltage

50V

Yayın Yılı

2009

Kılıf / Paket

5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

Pin Sayısı

5

JESD-609 Kodu

e3

Lifecycle Status

ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)

Configuration

COMMON BASE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR

Montaj Tipi

Surface Mount

Parça Durumu

Active

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

35 @ 5mA 10V

Collector Base Voltage Vcbo

50V

Akım Değeri

100mA

Collector Emitter Voltage Vceo

50V

Voltage Rated Dc

50V

Hfemin

35

Power Dissipation

150mW

Resistor Base R1

10k Ω

Vce Saturation Max Ib Ic

250mV @ 300μA, 10mA

Additional Feature

BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1

Maks. Çalışma Sıcaklığı

150°C

Terminal Formu

GULL WING

Polarity

PNP

Kurşunsuz Kodu

yes

Radyasyon Dayanımı

No

Transistor Application

SWITCHING

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

40

Number Of Elements

2

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)