SMUN5313DW1T3G

Teknik Özellikler

Additional Feature

BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 1

Lifecycle Status

ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)

Montaj Tipi

Surface Mount

Pin Sayısı

6

ECCN Kodu

EAR99

Collectoremitter Breakdown Voltage

50V

Collector Emitter Voltage Vceo

250mV

JESD-609 Kodu

e3

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

NOT SPECIFIED

Transistor Type

1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

Kılıf / Paket

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Parça Durumu

Active

Number Of Elements

2

Vce Saturation Max Ib Ic

250mV @ 300μA, 10mA

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

NOT SPECIFIED

Kurşunsuz

Lead Free

Hfemin

80

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Yüzey Montaj

YES

Polaritychannel Type

NPN AND PNP

Reference Standard

AEC-Q101

Terminal Formu

GULL WING

Current Collector Cutoff Max

500nA

Power Max

187mW

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

80 @ 5mA 10V

Max Power Dissipation

187mW

Operating Temperature Max

150°C

Resistor Emitter Base R2

47k Ω

Yayın Yılı

2012

Resistor Base R1

47k Ω

Pin Sayısı

6

Terminal Sayısı

6

Kurşunsuz Kodu

yes

Operating Temperature Min

-55°C

Configuration

SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR

Fabrika Tedarik Süresi

8 Weeks

Transistor Element Material

SILICON