SMUN5235DW1T3G

Teknik Özellikler

Vce Saturation Max Ib Ic

250mV @ 1mA, 10mA

Number Of Elements

2

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Parça Durumu

Active

Kılıf / Paket

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

Transistor Type

2 NPN - Pre-Biased (Dual)

Collector Emitter Voltage Vceo

250mV

JESD-609 Kodu

e3

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

NOT SPECIFIED

Collectoremitter Breakdown Voltage

50V

ECCN Kodu

EAR99

Montaj Tipi

Surface Mount

Montaj

Surface Mount

Lifecycle Status

ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)

Max Collector Current

100mA

Transistor Element Material

SILICON

Fabrika Tedarik Süresi

8 Weeks

Configuration

SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR

Terminal Sayısı

6

Kurşunsuz Kodu

yes

Pin Sayısı

6

Resistor Base R1

2.2k Ω

Yayın Yılı

2012

Resistor Emitter Base R2

47k Ω

Max Power Dissipation

187mW

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

80 @ 5mA 10V

Power Max

187mW

Current Collector Cutoff Max

500nA

Terminal Formu

GULL WING

Reference Standard

AEC-Q101

Polaritychannel Type

NPN

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Kurşunsuz

Lead Free

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

NOT SPECIFIED