SMUN5213DW1T1G

Teknik Özellikler

Max Breakdown Voltage

50V

Vce Saturation Max Ib Ic

250mV @ 300μA, 10mA

Number Of Elements

2

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Parça Durumu

Active

Halogen Free

Halogen Free

Kılıf / Paket

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

Maks. Çalışma Sıcaklığı

150°C

Transistor Type

2 NPN - Pre-Biased (Dual)

JESD-609 Kodu

e3

Collector Emitter Voltage Vceo

50V

Temel Parça No

MUN52**DW1T

Collectoremitter Breakdown Voltage

50V

ECCN Kodu

EAR99

Pin Sayısı

6

Montaj Tipi

Surface Mount

Lifecycle Status

ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)

Transistor Application

SWITCHING

Radyasyon Dayanımı

No

Additional Feature

BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 1

Max Collector Current

100mA

Fabrika Tedarik Süresi

8 Weeks

Kurşunsuz Kodu

yes

Terminal Sayısı

6

Pin Sayısı

6

Yayın Yılı

2012

Resistor Base R1

47k Ω

Resistor Emitter Base R2

47k Ω

Max Power Dissipation

187mW

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

80 @ 5mA 10V

Current Collector Cutoff Max

500nA

Terminal Formu

GULL WING

Polarity

NPN

Reference Standard

AEC-Q101

Element Configuration

Dual

Yüzey Montaj

YES

Hfemin

80

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant