SBR835LT4G

Teknik Özellikler

Current Reverse Leakage Vr

1.4mA @ 35V

Temel Parça No

MBRD835

Maks. Çalışma Sıcaklığı

150°C

Pin Sayısı

3

Average Rectified Current

8A

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

Peak Nonrepetitive Surge Current

75A

Diode Element Material

SILICON

Seri

SWITCHMODE™

Montaj Tipi

Surface Mount

Forward Current

8A

Reference Standard

AEC-Q101

Diode Type

Schottky

Number Of Elements

1

Applications

POWER

JESD-609 Kodu

e3

Pin Sayısı

3/2

Number Of Phases

1

Case Connection

CATHODE

Voltage Forward Vf Max If

510mV @ 8A

Kılıf / Paket

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Element Configuration

Common Anode

HTS Kodu

8541.10.00.80

Terminal Pozisyonu

SINGLE

Fabrika Tedarik Süresi

8 Weeks

ECCN Kodu

EAR99

Kurşunsuz Kodu

yes

Yayın Yılı

2012

Additional Feature

FREE WHEELING DIODE

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Operating Temperature Junction

-65°C~150°C

Speed

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Radyasyon Dayanımı

No

Max Reverse Voltage Dc

35V

Output Currentmax

8A

Terminal Formu

GULL WING

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Parça Durumu

Active

Montaj

Surface Mount