SBC857CLT1G

Teknik Özellikler

Parça Durumu

Active

Transistor Type

PNP

Collector Emitter Voltage Vceo

45V

Terminal Sayısı

3

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Collector Base Voltage Vcbo

50V

Uzunluk

3.04mm

Terminal Formu

GULL WING

Vce Saturation Max Ib Ic

650mV @ 5mA, 100mA

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Lifecycle Status

ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)

Radyasyon Dayanımı

No

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

420 @ 2mA 5V

Max Power Dissipation

300mW

Fabrika Tedarik Süresi

4 Weeks

ECCN Kodu

EAR99

Kurşunsuz Kodu

yes

Yayın Yılı

2005

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Kurşunsuz

Lead Free

Yüzey Montaj

YES

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Kılıf / Paket

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Genişlik

2.64mm

Element Configuration

Single

Collectoremitter Saturation Voltage

-650mV

Terminal Pozisyonu

DUAL

JESD-609 Kodu

e3

Current Collector Cutoff Max

15nA ICBO

Max Collector Current

100mA

Pin Sayısı

3

Transition Frequency

100MHz

Frequency Transition

100MHz

Transistor Element Material

SILICON

Max Frequency

100MHz

Number Of Elements

1

Polaritychannel Type

PNP

Pin Sayısı

3

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

Yükseklik

1.11mm