SBC857BDW1T1G

Teknik Özellikler

Parça Durumu

Active

Transistor Type

2 PNP (Dual)

Collector Emitter Voltage Vceo

650mV

Terminal Sayısı

6

Collector Base Voltage Vcbo

-50V

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Vce Saturation Max Ib Ic

650mV @ 5mA, 100mA

Terminal Formu

GULL WING

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Collectoremitter Breakdown Voltage

45V

Polarity

PNP

Gain Bandwidth Product

100MHz

Lifecycle Status

ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)

Max Power Dissipation

380mW

Radyasyon Dayanımı

No

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

220 @ 2mA 5V

Yayın Yılı

2009

Fabrika Tedarik Süresi

8 Weeks

ECCN Kodu

EAR99

Kurşunsuz Kodu

yes

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Transistor Application

AMPLIFIER

Kurşunsuz

Lead Free

Yüzey Montaj

YES

Kılıf / Paket

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Element Configuration

Dual

Collectoremitter Saturation Voltage

-650mV

JESD-609 Kodu

e3

Current Collector Cutoff Max

15nA ICBO

Pin Sayısı

6

Max Collector Current

100mA

Transition Frequency

100MHz

Currentcollector Ic Max

100mA

Number Of Elements

2

Transistor Element Material

SILICON

Temel Parça No

BC857BD

Pin Sayısı

6

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

Seri

Automotive, AEC-Q101