SBC856BDW1T3G

Teknik Özellikler

Power Dissipation

380mW

Kılıf / Paket

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Current Collector Cutoff Max

15nA ICBO

JESD-609 Kodu

e3

Transition Frequency

100MHz

Max Collector Current

100mA

Pin Sayısı

6

Currentcollector Ic Max

100mA

Transistor Element Material

SILICON

Number Of Elements

2

Pin Sayısı

6

Emitter Base Voltage Vebo

5V

Montaj Tipi

Surface Mount

Seri

Automotive, AEC-Q101

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

Transistor Type

2 PNP (Dual)

Parça Durumu

Active

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Collector Base Voltage Vcbo

80V

Terminal Sayısı

6

Collector Emitter Voltage Vceo

65V

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Collectoremitter Breakdown Voltage

65V

Terminal Formu

GULL WING

Vce Saturation Max Ib Ic

650mV @ 5mA, 100mA

Lifecycle Status

ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)

Polarity

PNP

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

220 @ 2mA 5V

Radyasyon Dayanımı

No

Max Power Dissipation

380mW

Frekans

100MHz

Kurşunsuz Kodu

yes

ECCN Kodu

EAR99

Fabrika Tedarik Süresi

8 Weeks

Yayın Yılı

2004

Yüzey Montaj

YES

Kurşunsuz

Lead Free

Transistor Application

AMPLIFIER

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Ambalaj

Tape & Reel (TR)