SBC848BLT1G

Teknik Özellikler

Parça Durumu

Active

Transistor Type

NPN

Collector Emitter Voltage Vceo

30V

Terminal Sayısı

3

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Collector Base Voltage Vcbo

30V

Uzunluk

3.04mm

Terminal Formu

GULL WING

Vce Saturation Max Ib Ic

600mV @ 5mA, 100mA

Collectoremitter Breakdown Voltage

30V

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Lifecycle Status

ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)

Radyasyon Dayanımı

No

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

200 @ 2mA 5V

Max Power Dissipation

300mW

Fabrika Tedarik Süresi

4 Weeks

Kurşunsuz Kodu

yes

ECCN Kodu

EAR99

Yayın Yılı

2009

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Kurşunsuz

Lead Free

Yüzey Montaj

YES

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Kılıf / Paket

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Genişlik

1.4mm

Element Configuration

Single

Terminal Pozisyonu

DUAL

Collectoremitter Saturation Voltage

600mV

JESD-609 Kodu

e3

Current Collector Cutoff Max

15nA ICBO

Max Collector Current

100mA

Pin Sayısı

3

Transition Frequency

100MHz

Frequency Transition

100MHz

Transistor Element Material

SILICON

Number Of Elements

1

Max Frequency

100MHz

Polaritychannel Type

NPN

Pin Sayısı

3

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)