SBC847BPDW1T3G

Teknik Özellikler

Gain Bandwidth Product

100MHz

Polarity

NPN, PNP

Lifecycle Status

ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)

Radyasyon Dayanımı

No

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

200 @ 2mA 5V

Max Power Dissipation

380mW

Kurşunsuz Kodu

yes

ECCN Kodu

EAR99

Fabrika Tedarik Süresi

8 Weeks

Yayın Yılı

2005

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Kurşunsuz

Lead Free

Transistor Application

AMPLIFIER

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Parça Durumu

Active

Transistor Type

NPN, PNP

Montaj

Surface Mount

Collector Emitter Voltage Vceo

45V

Weight

7.512624mg

Terminal Sayısı

6

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Collector Base Voltage Vcbo

50V

Terminal Formu

GULL WING

Vce Saturation Max Ib Ic

600mV @ 5mA, 100mA / 650mV @ 5mA, 100mA

Collectoremitter Breakdown Voltage

45V

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Currentcollector Ic Max

100mA

Transistor Element Material

SILICON

Number Of Elements

2

Pin Sayısı

6

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

Emitter Base Voltage Vebo

-5V

Montaj Tipi

Surface Mount

Seri

Automotive, AEC-Q101

Kılıf / Paket

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Element Configuration

Dual

Collectoremitter Saturation Voltage

600mV

JESD-609 Kodu

e3

Current Collector Cutoff Max

15nA ICBO

Max Collector Current

100mA